SiC-MOSFETのスイッチング機能を用いた限流遮断プロセスおよび接合部温度推定

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ED18052

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電研究会

発行日: 2018/06/04

タイトル(英語): Application of SiC-MOSFET Switching Function to Direct Current Limiting Interruption and Evaluation of Junction Temperature

著者名: 横水 康伸(名古屋大学),小椋 陽介(名古屋大学),小川 拓真(名古屋大学),柳樂 和宏(エナジーサポート)

著者名(英語): Yasunobu Yokomizu(Nagoya University),Yosuke Ogura(Nagoya University),Takuma Ogawa(Nagoya University),Kazuhiro Nagira(Energy Support Corporation)

キーワード: 遮断器|低圧直流|限流|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|DC circuit breaker|Low-voltage direct current|Current limiting|SiC-MOSFET

要約(日本語): パワー半導体素子を用いたアークレスな遮断器はアークによる損耗がないことや，遮断時間の制御が可能といった利点がある。しかし一方で，発生する熱によって素子が破壊され遮断に失敗するといった欠点も存在する。本稿では，パワー半導体としてSiC-MOSFETを用いたモデル遮断器に直流電流の遮断を課した。測定された波形より遮断特性を述べるとともに，SiC-MOSFETの接合部の温度の過渡推移を述べている。

要約(英語): We have constructed a model low voltage DC circuit breaker constructed of SiC-MOSFET. This paper reports the result for interruption duty of direct current in a current range of 100 to 250 A on model circuit breaker. Furthermore, transient aspect of a junction temperature in the SiC-MOSFET is described during the current process, on the basis of Cauer circuit representing a thermal behavior in the SiC-MOSFET.\n

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,167 Kバイト