FDTD Computation of Electric Field of a Three-Parallel-Element ZnO Varistor
FDTD Computation of Electric Field of a Three-Parallel-Element ZnO Varistor
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: ED18086
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電研究会
発行日: 2018/11/02
タイトル(英語): FDTD Computation of Electric Field of a Three-Parallel-Element ZnO Varistor
著者名: 柘植 亮佑(同志社大学),馬場 吉弘(同志社大学),辻本 義将(音羽電機工業),塚本 直之(音羽電機工業)
著者名(英語): Ryosuke Tsuge(Doshisha University),Yoshihiro Baba(Doshisha University),Yoshimasa Tsujimoto(Otowa Electric Company Limited),Naoyuki Tsukamoto(Otowa Electric Company Limited)
キーワード: 時間領域有限差分法|雷|過電圧|酸化亜鉛バリスタ|FDTD|lightning|overvoltage|ZnO varistor
要約(日本語): 雷サージなどの異常高電圧から回路を保護する目的で,酸化亜鉛バリスタ素子(ZnO素子)が回路に取り付けられる。ZnO素子に生じる過渡電界分布を把握することができれば,素子設計に非常に役立つ。本論文では,処理電流容量の拡張を狙った3並列ZnO素子に,雷インパルス電流が流入した場合の過渡電界の解析をFDTD法を用いて行う。なお,ZnO素子の電界依存抵抗率は,方向ごとに独立させて変更させる場合とセルごとに統一させる場合の2パターンで計算を行う,計算結果の比較を行う。
要約(英語): Transient electric fields in and around a three-parallel-element surge protective device (SPD), in which a 10-kA lightning impulse current is injected, has been analyzed using the finite-difference-time-domain (FDTD) method. The nonlinear resistivity of the ZnO element is represented in two different manners: resistivity in each of x, y, and z directions is controlled independently or commonly.
原稿種別: 英語
PDFファイルサイズ: 2,299 Kバイト
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