InP HEMTを用いた低消費電力スイッチマトリクスIC

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD05037

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2005/03/10

タイトル(英語): Low-Power Switch Matrix Ics Using Inp HEMTs

著者名: 上綱 秀樹(日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所),山根 康朗(日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所),徳光 雅美(日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所),菅原 裕彦(日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所),村口 正弘(日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所)

著者名(英語): Hideki Kamitusna(NTT Photonics Laboratories,NTT Corporation),Yasuro Yamane(NTT Photonics Laboratories,NTT Corporation),Masami Tokumitus(NTT Photonics Laboratories,NTT Corporation),Hirohiko Sugahara(NTT Photonics Laboratories,NTT Corporation),Masahiro Muraguchi(NTT Photonics Laboratories,NTT Corporation)

キーワード: InP HEMT|RFスイッチ|SPDT|低消費電力|広帯域|ロジックレベル無依存

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 974 Kバイト