超高速IC用InPHEMTデバイス･プロセス技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD05038

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2005/03/10

タイトル(英語): Device and Fabrication Process Technologies of InP HEMT for Ultra High-Speed Ics

著者名: 原 直紀(富士通研究所),牧山 剛(富士通研究所),高橋 (富士通研究所),今西 健(富士通研究所),多木 俊裕(富士通研究所),岡本 直哉(富士通研究所)

著者名(英語): Naoki Hara(Fujitsu Laboratories Ltd.),Kozo Makiyama(Fujitsu Laboratories Ltd.),Tsuyoshi Takahashi(Fujitsu Laboratories Ltd.),Kenji Imanishi(Fujitsu Laboratories Ltd.),Toshihiro Ohki(Fujitsu Laboratories Ltd.),Naoya Okamoto(Fujitsu Laboratories Ltd.)

キーワード: InPHEMT|超高速IC|均一性|歩留り|寄生容量|信頼性

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 844 Kバイト