Sub-10-nm平面型BulkCMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD05041

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2005/03/10

タイトル(英語): Transport Properties of Sub-10-nm Planar-Bulk-CMOS Devices

著者名: 若林 整(NEC),江崎 達也(NEC),羽根 正巳(NEC),阪本 利司(NEC),川浦 久雄(NEC),五十嵐 信行(NEC),竹内 潔(NEC),山本 豊二(NEC),池揮健夫情報システムズ (NEC情報システムズ)

著者名(英語): Hitoshi Wakabayashi(NEC),Tatsuya Ezaki(NEC),Masami Hane(NEC),Toshitsugu Sakamoto(NEC),Hisao Kawaura(NEC),Nobuyuki Ikarashi(NEC),Kiyoshi Takeuchi(NEC),Toyoji Yamamoto(NEC),Takeo Ikezawa Informatec Systems (NEC Informatec Systems)

キーワード: Sub-10-mmCMOS|ソース･ドレイン間直接トンネル電流|ドレイン起因トンネル電流変調効果

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 682 Kバイト