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高性能・微細ひずみSOI-MOSFET

高性能・微細ひずみSOI-MOSFET

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD05042

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2005/03/10

タイトル(英語): Performance Enhancements of Short channel Strained-SOI MOSFETs

著者名: 沼田 敏典(MIRAI-ASET),入沢 寿史(MIRAI-ASET),手塚 勉(MIRAI-ASET),古賀 淳二(MIRAI-ASET),平下 紀夫(MIRAI-ASET),臼田 宏治(MIRAI-ASET),豊田 英二(東芝セラミックス),宮村 佳児(コマツ電子金属),田邊 顕人(MIRAI-ASET),杉山 直治(MIRAI-ASET),高木 信一(MIRAI-AIST,東京大学)

著者名(英語): Toshinori Numata(MlRAl-ASET),Toshifumi Irisawa(MlRAl-ASET),Tsutomu Tezuka(MlRAl-ASET),Junji Koga(MlRAl-ASET),Norio Hirashita(MlRAl-ASET),Koji Usuda(MlRAl-ASET),Eiji Toyoda(Toshiba Ceramics),Yoshiji Miyamura(Komatsu Electronic Metals),Akihito Tanabe(MIRAI-ASET),Naoharu Sugiyama(MIRAI-ASET),Shin-ichi Takagi(MIRAI-AIST,Unive)

キーワード: ひずみSi|Sol|MOSFET|SiGe

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 834 Kバイト

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