ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150AAIGaN/GaNパワーHFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD05043

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2005/03/10

タイトル(英語): 350/150A AlGaN power HFET on Silicon substrate with source-via grounding (SVG) structure

著者名: 引田 正洋(松下電器産業株式会社),柳原 学(松下電器産業株式会社),中津 一志(松下電器産業株式会社),上野 弘明(松下電器産業株式会社),鹿瀬裕 (松下電器産業株式会社),上田 哲三(松下電器産業株式会社),上本 康裕(松下電器産業株式会社),田中 毅(松下電器産業株式会社),上田 大助(松下電器産業株式会社),江川 孝志(名古屋工業大学)

著者名(英語): Masahiro Hikita(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.),Manabu Yanagihara(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.),Kazushi Nakazawa(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.),Hiroaki Ueno(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.),Yutaka Hirose(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.),Tetsuzo Ueda(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.),Yasuhiro Uemoto(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.),Tsuyoshi Tanaka(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.),Daisuke Ueda(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.),Takashi Egawa(Nagoya lnstitute of Technology)

キーワード: GaN|Si基板|パワーデバイス|低オン抵抗|高耐圧|裏面フィールドプレート

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 823 Kバイト