アンドープAIGaN/GaNHEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD05044

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2005/03/10

タイトル(英語): 1.9 GHz SPDT Switch using Undoped AlGaN/GaN HEMTs

著者名: 広瀬 真由美((株)東芝研究開発センター),高田賢治((株)東芝研究開発センター),蔵口雅彦((株)東芝研究開発センター),佐々木忠寛((株)東芝研究開発センター),鈴木隆((株)東芝研究開発センター),津田邦男((株)東芝研究開発センター)

著者名(英語): Mayumi Hirose|Yoshiharu Takada|Masahiko Kuraguchi|Tadahiro Sasaki|Takashi Suzuki|Kunio Tsuda

キーワード: GaN|HEMT|リセス|高周波スイッチ|SPDTスイッチ

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 697 Kバイト