Moを用いた高耐電圧・低損失4H-SiCショットキーバリアダイオード

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD05048

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2005/10/27

タイトル(英語): High-voltage and low-loss 4H-SiC Schottky barrier diode using Mo

著者名: 中村 智宣(電力中央研究所),三柳 俊之(電力中央研究所),鎌田 功穂(電力中央研究所),土田 秀一(電力中央研究所)

著者名(英語): Tomonori Nakamura(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI)),Toshiyuki Miyanagi(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI)),Isaho Kamata(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI)),Hidekazu Tsuchida(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI))

キーワード: 高耐電圧|低損失|Mo電極|ショットキーバリアダイオード|High-voltage|low-loss|Mo contact|Schottky barrier diode

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 461 Kバイト