4.3mΩcm2,1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD05049

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2005/10/27

タイトル(英語): 4.3 mΩcm2, 1100V normally-off IEMOSFET on SiC

著者名: 原田 信介(産業技術総合研究所),加藤真 (産業技術総合研究所),岡本 光央(産業技術総合研究所),八尾 勉(産業技術総合研究所),福田憲司 (産業技術総合研究所),荒井和雄 (産業技術総合研究所)

著者名(英語): Shinsuke Harada(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Makoto Kato(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Mitsuo Okamoto(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Tsutomu Yatsuo(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kazuhiro Adachi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kenji Fukuda(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kazuo Arai(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: MOSFET|SiC|オン抵抗|エピタキシャル成長|DEMOSFET|IEMOSFET|MOSFET|SiC|on-resistance|epitaxial growth|DEMOSFET|IEMOSFET

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 523 Kバイト