受動ゲートによるL-IGBTの高速化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD05062

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2005/10/28

タイトル(英語): High Speed Lateral-IGBT with A Passive Gate

著者名: 寺島 知秀(三菱電機),守谷純一 (三菱電機)

著者名(英語): Tomohide Terashima(Mitsubishi Electric Corporation),Junichi Moritani(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 横型IGBT|第二ゲート|ホール注入|Lateral-IGBT|second gate|hole injection

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 806 Kバイト