バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm,フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06038

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/03/02

タイトル(英語): Process Integration Technology and Device Characteristics of CMOS FinFET on Bulk Silicon Substrate with sub-10nm Fin Width and 20nm Gate Length

著者名: 岡野王俊(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),泉田貴士(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),川崎博久(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),金子明生(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),八木下淳史(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),金村貴永(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),近藤正樹(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),伊藤早苗(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),青木伸俊(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),宮野清孝(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),小野高稔(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),矢橋勝典(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),岩出建次(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),窪田壮男(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),松下貴哉(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),水島一郎(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),稲葉聡(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),石丸一成(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),須黒恭一(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),江口和弘(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),綱島祥隆(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター),石内秀美(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & プロセス技術推進センター )

著者名(英語): K.Okano(SoC Research & Developm),T.Izumida(SoC Research & Developm),H.Kawasaki(SoC Research & Developm),A.Kaneko(SoC Research & Developm),A.Yagishita(SoC Research & Developm),T.Kanemura(SoC Research & Developm),M.Kondo(SoC Research & Developm),S.Ito(SoC Research & Developm),N.Aoki(SoC Research & Developm),K.Miyano(SoC Research & Developm),T.Ono(SoC Research & Developm),K.Yahashi(SoC Research & Developm),K.Iwade(SoC Research & Developm),T.Kubota(SoC Research & Developm),T.Matsushita(SoC Research & Developm),I.Mizushima(SoC Research & Developm),S.Inaba(SoC Research & Developm),K.Ishimaru(SoC Research & Developm),K.Suguro(SoC Research & Developm),K.Eguchi(SoC Research & Developm),Y.Tsunashima(SoC Research & Developm),H.Ishiuchi(SoC Research & Developm)

キーワード: フィンFET|バルク基板|フィン幅|トリミング|ラジカル酸化|パンチスルーストッパー

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,027 Kバイト