∑型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード･バルクCMOSデバイス

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/03/02

タイトル(英語): High Performance 30 nm Gate Bulk CMOSfor 45 nm Node with ∑-shaped SiGe-SD

著者名: 太田裕之 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),金永ソク (富士通,あきる野テクノロジーセンター),島宗洋介 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),佐久間崇 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),畑田明良 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),片上朗 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),添田武志 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),川村和郎 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),小倉輝 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),森岡博 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),渡邉崇史 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),王純志 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),早見由香 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),小倉寿典 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),田島貢 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),森年史 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),田村直義 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),児島学 (富士通,あきる野テクノロジーセンター),橋本浩一 (富士通,あきる野テクノロジーセンター)

著者名(英語): H.Ohta (Fujitsu limited.),Y.Kim (Fujitsu limited.),Y.Shimamune (Fujitsu limited.),T.Sakuma (Fujitsu limited.),A.Hatada (Fujitsu limited.),A.Katakami (Fujitsu limited.),T.Soeda (Fujitsu limited.),K.Kawamura (Fujitsu limited.),H.Kokura (Fujitsu limited.),H.Morioka (Fujitsu limited.),T.Watanabe (Fujitsu limited.),J.Oh (Fujitsu limited.),Y.Hayami (Fujitsu limited.),J.Ogura (Fujitsu limited.),M.Tajima (Fujitsu limited.),T.Mori (Fujitsu limited.),N.Tamura (Fujitsu limited.),M.Kojima (Fujitsu limited.),K.Hashimoto (Fujitsu limited.)

キーワード: SiGe| Cap-STI| ストレス制御|高性能CMOS

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,048 Kバイト