イオン注入法によるGaN FETの特性改善効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06041

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/03/02

タイトル(英語): The Characteristics Improvement of GaN FET by Ion Implantation

著者名: 野本 一貴(法政大学),田島 卓(法政大学),河村 光則(法政大学),伊藤 伸之(法政大学),佐藤 政孝(法政大学),中村 徹(法政大学),葛西 武(ケミトロニクス),三島 友義(日立電線)

著者名(英語): Kazuki Nomoto(Hosei University),Taku Tajima(Hosei University),Mitsunori Kawamura(Hosei University),Nobuyuki Ito(Hosei University),Masataka Satoh(Hosei University),Tohru Nakamura(Hosei University),Takeshi Kasai(Chemitronics),Tomoyoshi Mishima(Hitachi Cable)

キーワード: 窒化ガリウム|イオン注入|金属･半導体電界効果トランジスタ|光電子移動度トランジスタ

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 751 Kバイト