パワースイッチングシステム応用に向けてのA1GaN/GaNデバイス

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06043

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/03/02

タイトル(英語): A1GaN/GaN Devices for Future Power Switching Systems

著者名: 上田 哲三(松下電器産業㈱ 半導体社),村田 智洋(松下電器産業㈱ 半導体社),中沢 敏志(松下電器産業㈱ 半導体社),引田 正洋(松下電器産業㈱ 半導体社),黒田 正行(松下電器産業㈱ 半導体社),石田 秀俊(松下電器産業㈱ 半導体社),柳原 学(松下電器産業㈱ 半導体社),井上 薫(松下電器産業㈱ 半導体社),上本 康裕(松下電器産業㈱ 半導体社),田中 毅(松下電器産業㈱ 半導体社),上田 大助(松下電器産業㈱ 半導体社),江川孝志(名古屋工業大学)

著者名(英語): Tetsuzo Ueda|Tomohiro Murata|Satoshi Nakazawa|Masahiro Hikita|Masayuki Kuroda|Hidetoshi Ishida|Manabu Yanagihara|Kaoru Inoue|Yasuhiro Uemoto|Tsuyoshi Tanaka|Daisuke Ueda |Takashi

キーワード: GaN| パワースイッチングデバイス|オン抵抗|ギャップ層|超格子|InAlGaN|Si基板|ノーマリオフ|無極性面

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,072 Kバイト