ノンドーブ･ノンオーバーラップ構造を用いた超低リーク版FD-SOIトランジスタ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06044

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/03/02

タイトル(英語): Undoped Thin Film FD-SOI CMOS with Source/Drain-to-Gate Non-overlapped Structure for Ultra Low Leak Applications

著者名: 三浦 規之(沖電気工業株式会社),堂前 康宏(沖電気工業株式会社),坂田 豊和(沖電気工業株式会社),渡辺 実(沖電気工業株式会社),岡村 友博(沖電気工業株式会社),千葉 正(沖電気工業株式会社),福田 浩一(沖電気工業株式会社),井田 次郎(沖電気工業株式会社)

著者名(英語): Noriyuki Miura(Oki Electric Industry Co.,Ltd.),Yasuhiro Domae(Oki Electric Industry Co.,Ltd.),Toyokazu Sakata(Oki Electric Industry Co.,Ltd.),Minoru Watanabe(Oki Electric Industry Co.,Ltd.),Tomohiro Okamura(Oki Electric Industry Co.,Ltd.),Tadashi Chiba(Oki Electric Industry Co.,Ltd.),Koichi Fukuda(Oki Electric Industry Co.,Ltd.),Jiro Ida(Oki Electric Industry Co.,Ltd.)

キーワード: 完全空乏型SOI|超低リーク版トランジスタ|ノンドープボディ|ノンオーバーラップ|逆極性ゲート

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 722 Kバイト