タングステンをオーミック電極に用いた新たな横方向微細化技術によるInP系HEMTの特性向上

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06046

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/03/02

タイトル(英語): Improvement of Electerical Characteristics by Lateral Scale-Down Technology Using Tungsten-Based Ohmic Structure on InP-based HEMTs

著者名: 松崎 秀昭(NTTフォトニクス研究所),小杉 敏彦(NTTフォトニクス研究所),高橋 宏行(NTTフォトニクス研究所),徳光 雅美(NTTフォトニクス研究所),榎木 孝智(NTTフォトニクス研究所),丸山 隆志(NTTアドバンステクノロジ株式会社)

著者名(英語): Hideaki Matsuzaki(NTT Photonics Laboratories,NTT Corporation),Toshihiko Kosugi(NTT Photonics Laboratories,NTT Corporation),Hiroyuki Takahashi(NTT Photonics Laboratories,NTT Corporation),Masami Tokumitsu(NTT Photonics Laboratories,NTT Corporation),Takatomo Enoki(NTT Photonics Laboratories,NTT Corporation),Takashi Maruyama(NTT Advanced Technology Corporation)

キーワード: InP| HEMT| InGaAs| InAs| 伝達コンダクタンス|電流利得遮断周波数

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,284 Kバイト