DC-DCコンバータ用30V系微細ショットキー内蔵トレンチMOSFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06049

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/10/24

タイトル(英語): High density MOSBD (UMOS with built-in Trench Schottky Barrier Diode) for Synchronous Buck Converters

著者名: 小野 昇太郎(東芝セミコンダクター社),山口 好広(東芝セミコンダクター社),松田 昇(東芝セミコンダクター社),高野 彰夫(東芝セミコンダクター社),秋山 誠和子(東芝セミコンダクター社),川口 雄介(東芝セミコンダクター社),中川 明夫(東芝セミコンダクター社)

著者名(英語): Syotaro Ono(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Yoshihiro Yamaguchi(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Noboru Matsuda(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Akio Takano(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Miwako Akiyama(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Yusuke Kawaguchi(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Akio Nakagawa(Toshiba Corporation Semiconductor Company)

キーワード: MOSFET|トレンチ|ショットキー|DC-DCコンバータ|MOSFET|Trench|Schottky|DC-DC Converter

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 768 Kバイト