2.7mΩcm2, 700Vを有する4H-SiC C面IEMOSFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06062

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/10/24

タイトル(英語): 2.7mΩcm2, 700V IEMOSFET on 4H-SiC carbon-face

著者名: 原田 信介(産業技術総合研究所),加藤真 (産業技術総合研究所),岡本 光央(産業技術総合研究所),八尾 勉(産業技術総合研究所),福田 憲司(産業技術総合研究所),荒井 和雄(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Shinsuke Harada(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Makoto Kato(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Mitsuo Okamoto(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Tsutomu Yatsuo(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kenji Fukuda(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kazuo Arai(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: MOSFET|SiC|Carbon-face|オン抵抗|IEMOSFET|チャネル移動度|エピタキシャル成長|MOSFET|SiC|Carbon-face|On-resistance|IEMOSFET|Channel mobility|Epitaxial growth

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 685 Kバイト