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高抵抗(P--)基板を使用するスマートパワー技術における寄生L-NPNTr動作の抑制

高抵抗(P--)基板を使用するスマートパワー技術における寄生L-NPNTr動作の抑制

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06067

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2006/10/25

タイトル(英語): Suppression of parasitic L-NPNTr action in Smart Power Technology using High Resistance (p--) Substrates

著者名: 魚田紫織 (三菱電機),寺島 知秀(三菱電機),守谷純一 (三菱電機)

著者名(英語): Shiori Uota(Mitsubishi Electric Corporation),Tomohide Terashima(Mitsubishi Electric Corporation),Junichi Moritani(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 寄生L-NPNT動作|スマートパワー技術|Parasitic L-NPNTr action|Smart Power Technology

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,288 Kバイト

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