耐圧100V以下の領域におけるSuper 3D MOSFETによるSiリミットの突破

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06069

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/10/25

タイトル(英語): Breakthrough of on-resistance Si limit by Super 3D MOSFET under 100V breakdown voltage

著者名: 浦上 泰(デンソー),山口 仁(デンソー),榊原 純(デンソー)

著者名(英語): Yasushi Urakami(DENSO CORPORATION),Hitoshi Yamaguchi(DENSO CORPORATION),Jun Sakakibara(DENSO CORPORATION)

キーワード: パワーMOSFET|オン抵抗|Power MOS FET|on-resistance

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 721 Kバイト