部分厚膜トレンチゲート構造を用いた車載用高性能・高信頼性パワーMOS

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06070

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/10/25

タイトル(英語): High Performance and Reliability Power MOSFET for Automotive Application With Partially Thick Trench Gate Oxide Structure

著者名: 青木 孝明(デンソー),都築 幸夫(デンソー),荒川 隆史(デンソー),鈴木 幹昌(デンソー)

著者名(英語): Takaaki Aoki(DENSO CORPORATION),Yukio Tsuzuki(DENSO CORPORATION),Takafumi Arakawa(DENSO CORPORATION),Mikimasa Suzuki(DENSO CORPORATION)

キーワード: パワーMOS|トレンチゲート|信頼性|オン抵抗|耐圧|Qgd|TDDB寿命|Power MOSFET|Trench Gate|Reliability|On-state Resistance|Breakdown Voltage|Qgd|TDDB

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 964 Kバイト