トレンチ埋込法により作製した20mΩcm2 660V SJ-MOSFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06073

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/10/25

タイトル(英語): 20mΩcm2 660V Super Junction MOSFETs Fabricated by Deep Trench Etching and Epitaxial Growth

著者名: 高橋 孝太(富士電機AT),栗林 均(富士電機AT),河島 朋之(富士電機AT),脇本 節子(富士電機AT),望月 邦雄(富士電機AT),中澤 治雄(富士電機AT)

著者名(英語): Kouta Takahashi(Fuji Electric AT Co.,Ltd.),Hitoshi Kuribayashi(Fuji Electric AT Co.,Ltd.),Tomoyuki Kawashima(Fuji Electric AT Co.,Ltd.),Setsuko Wakimoto(Fuji Electric AT Co.,Ltd.),Kunio Mochizuki(Fuji Electric AT Co.,Ltd.),Haruo Nakazawa(Fuji Electric AT Co.,Ltd.)

キーワード: 超接合|トレンチ|埋込|埋め込み|エピ|MOS|エッジ構造|耐圧|トレードオフ|SJ|trench|buried|filling|epitaxial|MOS|termination|breakdown voltage|trade-off

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 804 Kバイト