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MOCVD 選択成長による低オーミックコンタクト形成

MOCVD 選択成長による低オーミックコンタクト形成

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06100

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2006/11/28

タイトル(英語): Fabrication of low ohmic contacts using selective area growth with MOCVD

著者名: 戸田 典彦(沖電気工業),見田 充郎(沖電気工業),伊藤正紀 (沖電気工業),丸井 俊治(沖電気工業),星 真一(沖電気工業),佐野 芳明(沖電気工業),関 昇平(沖電気工業)

著者名(英語): Fumihiko Toda(Oki Electric Industry Co.,Ltd),Juro Mita(Oki Electric Industry Co.,Ltd),Masanori Itoh(Oki Electric Industry Co.,Ltd),Toshiharu Marui(Oki Electric Industry Co.,Ltd),Shinichi Hoshi(Oki Electric Industry Co.,Ltd),Yoshiaki Sano(Oki Electric Industry Co.,Ltd),Shohei Seki(Oki Electric Industry Co.,Ltd)

キーワード: MOCVD| 選択成長| オ-ミックコンタクト| GaN| HEMT

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,431 Kバイト

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