高耐圧 GaN-HEMT における電流コラプスのフィールドプレート構造依存性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06101

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/11/28

タイトル(英語): Dependence of the Field-Plate Structure for Current Collapse Phenomena in High-Voltage GaN-HEMTs

著者名: 斎藤 渉(東芝),蔵口 雅彦(東芝),高田 賢治(東芝),津田 邦男(東芝),斎藤 泰伸(東芝),野田 隆夫(東芝),大村一郎 (東芝),山口 正一(東芝)

著者名(英語): Wataru Saito(Toshiba),Masahiko Kuraguchi(Toshiba),Yoshiharu Takada(Toshiba),Kunio Tsuda(Toshiba),Yasunobu Saito(Toshiba),Takao Noda(Toshiba),Ichiro Omura(Toshiba),Masakazu Yamaguchi(Toshiba)

キーワード: GaN-HEMT| 高耐圧| パワー半導体デバイス

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 681 Kバイト