高出力 AlGaN/GaN HFET の電源応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06102

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/11/28

タイトル(英語): High power AIGaN/GaN HFET for a power switching application

著者名: 池田 成明(古河電工 横浜研究所),神林 宏(古河電工 横浜研究所),李江 (古河電工 横浜研究所),増田満 (古河電工 横浜研究所),野村 剛彦(古河電工 横浜研究所),吉田 清輝(古河電工 横浜研究所)

著者名(英語): Nariaki Ikeda(Yokohama R&D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Hiroshi Kambayashi(Yokohama R&D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Mitsuru Masuda(Yokohama R&D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Jiang Li(Yokohama R&D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Takahiko Nomura(Yokohama R&D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Seikoh Yoshida(Yokohama R&D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.)

キーワード: AlGaN| GaN| HFET，高速スイッチング| 動作| DC-DC コンバータ

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 670 Kバイト