セルフアラインプロセスにより作製したGaN 系縦型トランジスタ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06103

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/11/28

タイトル(英語): GaN-based Vertical Field Effect Transistors Fabricated Using Self-aligned Process

著者名: 森田 竜夫(松下電器産業(株) 半導体社),中津 敏志(松下電器産業(株) 半導体社),上田 哲三(松下電器産業(株) 半導体社),田中 毅(松下電器産業(株) 半導体社)

著者名(英語): Tatsuo Morita(Matasushita Electric Industorial Co.,Ltd. Semiconductor Company),Satoshi Nakazawa(Matasushita Electric Industorial Co.,Ltd. Semiconductor Company),Tetsuzo Ueda(Matasushita Electric Industorial Co.,Ltd. Semiconductor Company),Tsuyoshi Tanaka(Matasushita Electric Industorial Co.,Ltd. Semiconductor Company)

キーワード: GaN| lnAlGaN| 縦型| 電界効果トランジス夕| セルフアライン| 電流コラプス

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 700 Kバイト