Si パワーデバイスSuper Junction MOSFET 開発 -トレンチ埋込エピタキシャル成長技術によるSi-Limit 突破?

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06107

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/11/28

タイトル(英語): Development of Super Junction MOSFET -Breakthrough of On-resistance Si Limit using Trench Filling Epitaxial Growth -

著者名: 山内 庄一(デンソー),柴田 巧(デンソー),山口 仁(デンソー),野上 彰二(SUMCO),山岡 智則(SUMCO),服部 佳晋(豊田中央研究所)

著者名(英語): Shoichi Yamauchi(DENSO CORPORATION),Takumi Shibata(DENSO CORPORATION),Hitoshi Yamaguchi(DENSO CORPORATION),Shoji Nogami(SUMCO CORPORATION),Tomonori Yamaoka(SUMCO CORPORATION),Yoshiyuki Hattori(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC.)

キーワード: パワーMOSFET| スーパージャンクション| トレンチ埋込エピタキシャル成長

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,380 Kバイト