SiC 結晶成長と欠陥評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06108

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/11/28

タイトル(英語): SiC crystal growth and characterization

著者名: 土田 秀一(電力中央研究所)

著者名(英語): Hidekazu Tsuchida(Central Research Institute of Electric Power Industry)

キーワード: SiC| バルク成長| エピタキシャル成長| 結品欠陥

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,307 Kバイト