GaN on Si パワーデバイスの開発動向

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD06110

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2006/11/28

タイトル(英語): Development of GaN on Si Power Devices and Beyond

著者名: 後藤 博一(サンケン電気株式会社)

著者名(英語): Hirokazu Goto(Sanken Electric CO.,LTD.)

キーワード: 窒化ガリウム| クラック| Al GaN/GaN ヘテロ構造| ショットキーバリアダイオード| 電流コラフス| 力率改善回路

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 770 Kバイト