界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD07039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2007/03/01

タイトル(英語): Practical Work Function Tuning Based on Physical and Chemical Nature of Interfacial Impurity in Ni-FUSI/SiON and HfSiON systems

著者名: 土屋 義規(東芝),吉木 昌彦(東芝),佐藤 基之(東芝　セミコンダクター社),関根 克行(東芝　セミコンダクター社),齋藤 友博(東芝　セミコンダクター社),中嶋 一明(東芝　セミコンダクター社),青山知憲(東芝　セミコンダクター社),古賀 淳二(東芝),西山 彰(東芝),小山 正人(東芝)

著者名(英語): Yoshinori Tsuchiya|Masahiko Yoshiki|Motoyuki Sato|Katsuyuki Sekine|Tomohiro Saito|Kazuaki Nakajima|Tomonori AoyamaSemiconductor Company|Junji Koga|Akira Nishiyama|Masato Koyama

キーワード: フルシリサイド|仕事関数|メタルゲート|不純物偏析|アルミニウム偏析|ゲートスタック|高誘電率ゲート絶縁膜|fully silicided gate|FUSI|work function|metal gate|impurity segregation|Al segregation|gate stack|high-k

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 547 Kバイト