SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD07040

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2007/03/01

タイトル(英語): Practical Vth Control Methods for Ni-FUSI/HfSiON MOSFETs on SOI Substrates

著者名: 寺島 浩一(日本電気),間部 謙三(日本電気),高橋 健介(日本電気),渡部 宏治(日本電気),小倉 卓(日本電気),西藤哲史 (日本電気),忍田 真希子(日本電気),五十嵐 信行(日本電気),辰巳 徹(日本電気),渡辺 啓仁(日本電気)

著者名(英語): Koichi Terashima(NEC),Kenzo Manabe(NEC),Kensuke Takahashi(NEC),Koji Watanabe(NEC),Takashi Ogura(NEC),Motofumi Saitoh(NEC),Makiko Oshida(NEC),Nobuyuki Ikarashi(NEC),Toru Tatsumi(NEC),Hirohito Watanabe(NEC)

キーワード: メタルゲート|高誘電率膜|Ni-FUSI|HfSiON|SOI|MOSFET|しきい値電圧|metal gate|high-k|Ni-FUSI|HfSiON|SOI|MOSFET|threshold voltage

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 389 Kバイト