絶縁ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの走行層幅微細化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD07042

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2007/03/01

タイトル(英語): Width reduction of transit region in hot electron transistor controlled by insulated gate

著者名: 齋藤 尚史(東工大),諏訪 輝(東工大),長谷川 貴史(東工大),日野 高宏(東工大),大野 真也(東工大),五十嵐 満彦(東工大),宮本 恭幸(東工大・JST-CREST),古屋一仁(東工大・JST-CREST)

著者名(英語): Hisashi Saito(Tokyo Tech),Akira Suwa(Tokyo Tech),Takashi Hasegawa(Tokyo Tech),Takahiro Hino(Tokyo Tech),Masaya Oono(Tokyo Tech),Mitsuhiko Igarashi(Tokyo Tech),Yasuyuki Miyamoto(Tokyo Tech,JST-CREST),Kazuhito Furuya(Tokyo Tech,JST-CREST)

キーワード: ホットエレクトロントランジスタ|電子ビーム露光|絶縁ゲート|hot electron transistor|electron beam lithography|insulated gate

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 762 Kバイト