InAlAs障壁層薄層化によるInP系HEMTのソース抵抗低減および相互コンダクタンス向上

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD07043

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2007/03/01

タイトル(英語): Reduction of Source Resistance and Enhancement of Transconductance of InP-Based HEMTs by Using a Thin InAlAs Barrier Layer

著者名: 高橋 剛(富士通),牧山 剛三(富士通),原 直紀(富士通)

著者名(英語): Tsuyoshi Takahashi(Fujitsu Limited),Kozo Makiyama(Fujitsu Limited),Naoki Hara(Fujitsu Limited)

キーワード: InP系HEMT|ソース抵抗|相互コンダクタンス|障壁層|InP-based HEMT|source resistance|transconductance|barrier layer

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 300 Kバイト