Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD07044

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2007/03/02

タイトル(英語): High-Quality InAlN/GaN HEMT Epi-Wafers grown on Si (111) Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

著者名: 渡邉 則之(日本電信電話),横山 春喜(日本電信電話),廣木正伸 (日本電信電話),小田 康裕(日本電信電話),小林 隆(日本電信電話),八木 拓真(NTTアドバンステクノロジ)

著者名(英語): Noriyuki Watanabe(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Haruki Yokoyama(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Masanobu Hiroki(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Yasuhiro Oda(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Takashi Kobayashi(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Takuma Yagi(NTT Advanced Technology Corporation)

キーワード: GaN|InAlN|Si基板|MOCVD|HEMT|GaN|InAlN|Si substrate|MOCVD|HEMT

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 431 Kバイト