低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD07045

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2007/03/02

タイトル(英語): Ion-Implanted GaN/AlGaN/GaN HEMTs with Extremely Low Gate Leakage Current

著者名: 野本 一貴(法政大学),田島 卓(法政大学),佐藤 政孝(法政大学),中村 徹(法政大学),三島 友義(日立電線)

著者名(英語): Kazuki Nomoto(Hosei University),Taku Tajima(Hosei University),Masataka Satoh(Hosei University),Tohru Nakamura(Hosei University),Tomoyoshi Mishima(Hitachi Cable Ltd.)

キーワード: 窒化ガリウム|イオン注入|高電子移動度トランジスタ|GaN/AlGaN/GaN|Ion Implantation|HEMT

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 343 Kバイト