SiC半絶縁性基板上へのイオン注入を用いたMESFET作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD07046

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2007/03/02

タイトル(英語): Development of fully ion implanted MESFET on a bulk semi-insulating substrate

著者名: 新井 学(新日本無線),片上崇治 (新日本無線),尾形 誠(新日本無線),小野 修一(新日本無線)

著者名(英語): Manabu Arai(New Japan Radio Co.,Ltd.),Shuiji Katakami(New Japan Radio Co.,Ltd.),Makoto Ogata(New Japan Radio Co.,Ltd.),Shuichi Ono(New Japan Radio Co.,Ltd.)

キーワード: SiC|MESFET|イオン注入|RF特性|SiC|MESFET|ion implantation|RF characteristics

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 368 Kバイト