少数キャリア蓄積を考慮したSiCパワー・ダイオードの逆回復現象のモデリングに関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD07072

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2007/10/25

タイトル(英語): A Study of the Modeling of SiC Power-Diode's Reverse Recovery Characteristic Considering the Minority Carrier Injection

著者名: 澤田 高志(京都大学),舟木 剛(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Takashi Sawada(Kyoto University),Tsuyoshi Funaki(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: SiC-pnダイオード|逆回復特性|少数キャリア|モデリング|SiC-pn diode|reverse recovery characteristic|minority carrier|modeling

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 586 Kバイト