600V Semi SJ-MOSFETのnバッファ層最適設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD07075

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2007/10/25

タイトル(英語): Design concept of n-buffer layer (n-Bottom Assist Layer) for 600V-class Semi-Super Junction MOSFET

著者名: 小野 昇太郎(東芝セミコンダクター社),齋藤 渉(東芝セミコンダクター社),高下 正勝(東芝セミコンダクター社),来島 正一郎(東芝セミコンダクター社),都鹿野健一 (東芝セミコンダクター社),山口 正一(東芝セミコンダクター社)

著者名(英語): Syotaro Ono(Toshiba Corporation),Wataru Saito(Toshiba Corporation),Masakatsu Takashita(Toshiba Corporation),Shoichiro Kurushima(Toshiba Corporation),Ken'ichi Tokano(Toshiba Corporation),Masakazu Yamaguchi(Toshiba Corporation)

キーワード: パワーMOSFET|スーパージャンクション|低オン抵抗|Power-MOSFET|Superjunction|Low on-resistance

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 537 Kバイト