100kHz動作対応L-IGBTの構造開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD07081

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2007/10/25

タイトル(英語): Configuration of JI-LIGBT for Over 100 kHz Switching

著者名: 寺島 知秀(三菱電機),平田 大介(三菱電機)

著者名(英語): Tomohide Terashima(Mitsubishi Electric Corporation),Daisuke Hirata(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 横型IGBT|受動PMOS|ウェハ薄厚化|インテリジェントパワーデバイス|フライバックコンバーター|L-IGBT|Passive PMOS|Wafer thinning|Intelligent Power Device|fly back converter

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 906 Kバイト