AlGaNチャネルHEMTにおけるドレイン耐圧の向上

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08036

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/03/06

タイトル(英語): Breakdown Voltage Enhancement in AlGaN Channel HEMTs

著者名: 南條拓真 (三菱電機),吹田 宗義(三菱電機),阿部 雄次(三菱電機),大石 敏之(三菱電機),徳田 安紀(三菱電機),武内 道一(理化学研究所・東京工業大学),青柳 克信(理化学研究所・東京工業大学)

著者名(英語): Takuma Nanjo(Mitsubishi Electric Corp.),Muneyoshi Suita(Mitsubishi Electric Corp.),Yuji Abe(Mitsubishi Electric Corp.),Toshiyuki Oishi(Mitsubishi Electric Corp.),Yasunari Tokuda(Mitsubishi Electric Corp.),Misaichi Takeuchi(Riken,Tokyo Tech.),Yoshinobu Aoyagi(Riken,Tokyo Tech.)

キーワード: AlGaNチャネルHEMT|高耐圧|高出力|高周波|高電子移動度トランジスタ|AlGaN channel HEMT|high breakdown voltage|high power|high frequency|high-electron mobility transistor

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 634 Kバイト