サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08037

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/03/06

タイトル(英語): 10400V Blocking Voltage AlGaN/GaN Power HFET with sapphire-via-hole

著者名: 上本 康裕(松下電器産業),柴田 大輔(松下電器産業),柳原 学(松下電器産業),石田 秀俊(松下電器産業),松尾 尚慶(松下電器産業),上田 哲三(松下電器産業),田中 毅(松下電器産業),上田 大助(松下電器産業),永井 秀一(パナソニック),Ming Li(パナソニック)

著者名(英語): Yasuhiro Uemoto(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd),Daisuke Shibata(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd),Manabu Yanagihara(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd),Hidetoshi Ishida(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd),Hisayoshi Matsuo(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd),Tetsuzo Ueda(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd),Tsuyoshi Tanaka(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd),Daisuke Ueda(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd),Shuichi Nagai(Panasonic Technologies Company),Ming Li(Panasonic Technologies Company)

キーワード: GaN|FET|高耐圧|サファイア基板|ビアホール|AlN|フィールドプレート|GaN|FET|high breakdown voltage|sapphire substrate|via-hole|AlN|field plate

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 850 Kバイト