低温成長GaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08038

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/03/06

タイトル(英語): AlGaN/GaN HFETs with a low-temperature GaN cap layer

著者名: 脇 英司(新日本無線),小野 悟(新日本無線),出口 忠義(新日本無線),中川 敦(新日本無線),寺田 豊(名古屋工業大学),江川 孝志(名古屋工業大学)

著者名(英語): Eiji Waki(New Japan Radio Co.,Ltd),Satoru Ono(New Japan Radio Co.,Ltd),Tadayoshi Deguchi(New Japan Radio Co.,Ltd),Atsushi Nakagawa(New Japan Radio Co.,Ltd),Yutaka Terada(Nagoya Institute of Technology),Takashi Egawa(Nagoya Institute of Technology)

キーワード: AlGaN|GaN|HFET|低温成長GaN|キャップ層|電流コラプス|リーク電流|オーミック接触|AlGaN|GaN|HFET|low-temperature GaN|cap layer|current collapse|leakage current|ohmic contact

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,112 Kバイト