モンテカルロ計算によるゲート制御ホットエレクトロントランジスタの遮断周波数解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/03/06

タイトル(英語): Cutoff frequency analysis of gate-controlled hot electron transistors by Monte Carlo calculation

著者名: 宮本 恭幸(東工大・JST-CREST),五十嵐 満彦(東工大),山田 朋宏(東工大),上澤岳史 (東工大),古屋 一仁(東工大・JST-CREST)

著者名(英語): Yasuyuki Miyamoto(Tokyo Tech,JST-CREST),Mitsuhiko Igarashi(Tokyo Tech),Tomohiro Yamada(Tokyo Tech),Takafumi Uesawa(Tokyo Tech),Kazuhito Furuya(Tokyo Tech,JST-CREST)

キーワード: InP/InGaAs|バリスティック電子|ホットエレクトロントランジスタ|モンテカルロ計算|絶縁ゲート|InP/InGaAs|ballistic electron|hot electron transistors|Monte Carlo simulation|insulated gate

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 657 Kバイト