ダイヤモンド高周波デバイスの現状と課題

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08040

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/03/06

タイトル(英語): Present Status and Prospects of Diamond RF Transistors

著者名: 嘉数 誠(日本電信電話・NTT物性科学基礎研究所),植田 研二(日本電信電話・NTT物性科学基礎研究所),影島 博之(日本電信電話・NTT物性科学基礎研究所)

著者名(英語): Makoto Kasu(NTT Basic Research Laboratories,NTT Corporation),Kenji Ueda(NTT Basic Research Laboratories,NTT Corporation),Hiroyuki Kageshima(NTT Basic Research Laboratories,NTT Corporation)

キーワード: ダイヤモンド|FET|高周波特性|電力特性|イオン注入|高圧高温アニール|diamond|FET|RF characteristics|power characteristics|ion implantation|HPHT annealing

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 619 Kバイト