横方向スケーリングによるInP系HEMTの高周波特性向上

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08041

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/03/06

タイトル(英語): Enhancement of High-Frequency Characteristics of InP-Based HEMTs by Lateral Scaling

著者名: 原 直紀(富士通),高橋 剛(富士通),牧山 剛三(富士通),多木俊裕研究所 (富士通研究所)

著者名(英語): Naoki Hara(Fujitsu Ltd.),Tsuyoshi Takahashi(Fujitsu Ltd.),Kozo Makiyama(Fujitsu Ltd.),Toshihiro Ohki(Fujitsu Laboratories Ltd.)

キーワード: InP系HEMT|スケーリング|ミリ波応用|安定性|InP-based HEMT|scaling|millimeter-wave applications|stability

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 388 Kバイト