ダマシンゲートプロセスを用いたTop-Cut デュアルストレスライナーを有する高性能Metal/High-k Gate MOSFETs

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08043

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/03/06

タイトル(英語): High-Performance Metal/High-k Gate Stack n- and p-MOSFETs with Top-Cut Dual Stress Liners by Damascene Gate Process on (100) Substrates

著者名: 黛哲(ソニー),王俊利(ソニー),山川真弥(ソニー),舘下八州志(ソニー),平野智之(ソニー),中田征志(ソニー),山口晋平(ソニー),山本雄一(ソニー),宮波勇樹(ソニー),押山到(ソニー),田中和樹(ソニー),田井香織(ソニー),小川浩二(ソニー),釘宮克尚(ソニー),長濱嘉彦(ソニー),萩本賢哉(ソニー),山本亮(ソニー),神田さおり(ソニー),長野香(ソニー),若林整(ソニー),田川幸雄(ソニー),塚本雅則(ソニー),岩元勇人(ソニー),斎藤正樹(ソニー),門村新吾(ソニー),長島直樹(ソニー)

著者名(英語): Satoru Mayuzumi|Junli Wang|Shinya Yamakawa|Yasushi Tateshita|Tomoyuki Hirano|Masashi Nakata|Shinpei Yamaguchi|Yuichi Yamamoto|Yuki Miyanami|Itaru Oshiyama|Kazuki Tanaka|Kaori Tai|Koji Ogawa|Katsuhisa Kugimiya|Yoshihiko Nagahama|Yoshiya Hagimoto|Ryo Yama

キーワード: メタルゲート|High-k|ダマシン|Top-cut|ストレスライナー|eSiGe|HfO2|TiN|HfSix|Metal gate|High-k|Damascene|Top-cut|Stress liner|eSiGe|HfO2|TiN|HfSix

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 757 Kバイト