GeチャネルMOSトランジスタの課題とサブ100nmPMOS動作実証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08044

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/03/06

タイトル(英語): Issues and Performance Demonstration of Sub-100 nm Gate Length Germanium Channel PMOSFETs

著者名: 山本豊二(MIRAI-ASET),山下良美(MIRAI-ASET),原田正臣(MIRAI-ASET),池田圭司(MIRAI-ASET),鈴木邦広(MIRAI-ASET),杉山直治(MIRAI-ASET),田岡紀之(MIRAI-産総研ASRC),木曽修(MIRAI-産総研ASRC),高木信一(MIRAI-産総研ASRC,東京大学)

著者名(英語): Toyoji Yamamoto(MIRAI-ASET),Yoshimi Yamashita(MIRAI-ASET),Masatomi Harada(MIRAI-ASET),Keiji Ikeda(MIRAI-ASET),Kunihiro Suzuki(MIRAI-ASET),Naoharu Sugiyama(MIRAI-ASET),Noriyuki Taoka(MIRAI-AIST),Osamu Kiso(MIRAI-AIST),Shin-ichi Takagi(MIRAI-AIST,The University of Tokyo)

キーワード: ゲルマニウム|MOSFET|界面特性|Siパッシベーション|移動度|メタルソース・ドレイン|短チャネル効果|Germanium|MOSFET|interface state|Si passivation|mobility|metal source/drain|short channel effects

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 786 Kバイト