新規格化法を用いた工場／製品／水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08045

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/03/06

タイトル(英語): Evaluation of Silicon MOSFET Random Threshold Voltage Fluctuation by Comparing Multiple Fabs and Technologies using a New Normalization Method

著者名: 竹内 潔(MIRAI-Selete,NEC),深井 利憲(MIRAI-Selete),角村 貴昭(MIRAI-Selete),西田 彰男(MIRAI-Selete),蒲原史朗 (MIRAI-Selete),アリフィン ・タムシル・プトラ(東京大学),平本 俊郎(東京大学)

著者名(英語): Kiyoshi Takeuchi(MIRAI-Selete,NEC),Toshinori Fukai(MIRAI-Selete),Takaaki Tsunomura(MIRAI-Selete),Akio Nishida(MIRAI-Selete),Shiro Kamohara(MIRAI-Selete),Arifin Tamsir Putra (University of Tokyo),Toshiro Hiramoto(University of Tokyo)

キーワード: CMOS|MOSFET|ばらつき|CMOS|MOSFET|fluctuation|variation

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 473 Kバイト