次世代1200V FZ - Diodeの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08047

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/10/23

タイトル(英語): Development of the next generation 1200V FZ-diode with soft recovery characteristics

著者名: 河野 涼一(富士電機デバイステクノロジー),小野澤勇一 (富士電機デバイステクノロジー),仲野 逸人(富士電機デバイステクノロジー),山崎 智幸(富士電機デバイステクノロジー)

著者名(英語): Ryouichi Kawano(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.),Yuichi Onozawa(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.),Hayato Nakano(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.),Tomoyuki Yamazaki(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.)

キーワード: EMIノイズ|局所ライフタイム制御|レーザーアニール|ドリフト層のプロファイル|バッファーレス構造|EMI noise| Local lifetime control| Laser Anneal| Drift layer doping profile| Buffer layer less structure

要約(日本語): トレンチゲートとFS構造の組み合わせはIGBTのターンオフ損失とオン電圧を劇的に改善した。しかしながらターンオンに関しては、EMIノイズを許容できるレベルに抑える必要があるため、ターンオンスピードの高速化が制限され、損失を十分に小さくすることができない。この結果、損失全体に占めるターンオン損失の割合は増大している。そこで我々はノイズとターンオン損失のトレードオフを改善するために3次元構造を用いた新しいIGBTの開発を行った。しかしながら、このトレードオフの更なる改善のためにはダイオードのリカバリー特性の改

要約(英語): This paper presents the new 1200V FZ-Diode chip using the newly developed local lifetime control technique which is a combination of the electron irradiation and the back-side laser annealing in order to realize the optimum carrier profile. Furthermore, 2

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 456 Kバイト